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Untersuchung der elektrischen Eigenschaften von Trench-MOS-Leistungstransistoren Rutilius Taurus Aemilianus der erträumteInhaltsangabe: Zusammenfassung: Als das Ziel dieser Diplomarbeit wurde die Untersuchungen der elektrischen Eigenschaften der 40V MOS Leitungstransistoren festgelegt, die auf der Basis einer 0,6 m Technologie mit vertikalen Grben (Trenchen) am IMS entwickelt wurden. Insbesondere standen in dem Vordergrund die Ausbeuteprobleme bei dem Gateoxid zu analysieren. Dazu wurden die Varianten des Gateoxidkomplexes, die innerhalb einer Charge durchgefhrt wurden,